ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه

دراین مقاله ساختار جدید doped LDD HMESFET را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راه های افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار ناهمگون HMESFET است؛ یعنی ازسورس AlxGa1-xAs در مجاورت کانال GaAs استفاده می شود. با افزایش x (درصد مولی Al) می توان ناپیوستگی گاف نوار (EG) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. اما افزایش بیش از حد x، مراکز DX را افزایش داده موجب کاهش جریان می شود. لذا برای اجتناب از افزایش مراکز DX، باید به روش دیگری روی آورد. رویکرد جایگزین پیشنهاد شده دراین مقاله استفاده از لایه های ناخالصی دلتاگونه (doping) در فصل مشترک سورس- کانال است. این کار موجب افزایش ناپیوستگی در گاف نوار در فصل مشترک سورس-کانال می شود. افزایش EG، معادل افزایش درصد مولی Al است. دراین مقاله با شبیه سازی ساختار پیشنهادی با درصد مولی Al کمتر از اندازه استفاده شده در ترانزیستور مرجع [1]، نشان می دهیم که متوسط سرعت الکترون، بدون در نظر گرفتن مراکز DX، در دو ترانزیستور برابر است.