مجتمع سازی حافظه فلاش با استفاده از یک لایه پلی‐ سیلیکان در پروسه متداول CMOS 0.25 میکرومتر

در این مقاله، نوع جدیدی از سلول های حافظه غیر فرار فلاش معرفی شده اند که قابلیت پیاده سازی در فرایند را دارند. در این سلول ها از logic CMOS ساخت متداول یک لایه پلی سیلیکان استفاده شده است و لایه دوم که در سلول N-well های متداول نقش گیت کنترل را دارد با ناحیه جایگزین شده است. آرایه ای از این سلول ها با چگالی ذخیره میکرومتر، طراحی CMOS سازی بالا روی تکنولوژی 0.25 و ساخته شده است. بر اساس نتایج اندازه گیری ها، کلیه سلول ها تا 60 هزار بار قابل نوشتن و پاک کردن می باشند و می توانند اطلاعات را تا 10 سال نگهداری کنند. با توجه به ارزانی قابل، logic CMOS ملاحظه و دسترسی آسان به فرایند ساخت طراحان می توانند از این فن آوری در پیاده سازی سیستم های مجتمع استفاده کنند.