رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات Si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی
نویسنده:
چکیده:
نانو ذرات Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در نتیجه مقاومت سطحی نمونه °75 به مراتب بزرگتر از °85 و نمونه °85 به مراتب بزرگتراز زیر لایه سیلیکان می باشد.مورفولوژی سطحی و تصویر سطح مقطعی فیلمها با استفاده از SEM مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد که نمونه با تخلخل بیشتر دارای مقاومت سطحی کمتر می شود. همچنین مشخصه I-V پیوندگاه nSi/p-Si(111) مورد بررسی قرار گرفت. این پیوندگاه دارای رفتار غیر خطی الکتریکی و دیود گونه می باشد.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
صفحات:
57 تا 65
لینک کوتاه:
magiran.com/p900610
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!