طراحی، شبیه سازی و ساخت حسگرهای ردیابی مادون قرمز ایندیوم آنتیموناید با فناوری کاشت یون

در این تحقیق نشان داده شده که فتودیود ساخته شده با استفاده از کاشت یون Be+ در نیمه هادی نوع n-InSb در شرایطی که سطح نمونه با استفاده از یک لایه SiO2 در هنگام کاشت محافظت شده نتایج الکترواپتیکی بسیار بهتری نسبت به حالتی که کاشت مستقیم و بدون لایه SiO2، دارد. فتودیود به دست آمده از کاشت یون +Be، با دز 2-cm 1014×4 و انرژی KeV100 در حالی که μm 25/0 لایه SiO2 بر روی بستر n-InSb نشانده شده همراه با عملیات حرارتی در دمای ̊C350 به مدت 30 دقیقه دارای چگالی جریان تاریکی nA/cm2 200 در بایاس معکوس mV 50 ومیزان آشکارسازی بیشینه طول موجی (Dλ*) cmHz1/2W-1 1010×9 بوده است.