به جمع مشترکان مگیران بپیوندید!

تنها با پرداخت 70 هزارتومان حق اشتراک سالانه به متن مقالات دسترسی داشته باشید و 100 مقاله را بدون هزینه دیگری دریافت کنید.

برای پرداخت حق اشتراک اگر عضو هستید وارد شوید در غیر این صورت حساب کاربری جدید ایجاد کنید

عضویت
فهرست مطالب نویسنده:

mohammad ebrahim ghazi

  • مریم عالی دایی، مرتضی ایزدی فرد*، محمد ابراهیم قاضی
    ترکیب CH3NH3PbI3 یکی از معروف ترین و پرکاربردترین ترکیبات پروسکایتی هالیدی بر پایه سرب است که در سلول های خورشیدی پرووسکایتی استفاده می شود. یکی از راه های مقابله با مساله ناپایداری این ساختار پروسکایتی در شرایط معمولی، آلایش برم در این ترکیب است. در این کار، ضمن بررسی ویژگی های ساختاری و نوری لایه های جاذب CH3NH3PbI3 آلاییده با برم (با نسبت های مولی برم به ید 1:0، 3:1، 2:1، 1:1، 1:2، 0:1) که به روش دومرحله ای چرخشی- چرخشی تهیه شدند، پارامترهای فوتوولتایی سلول های ساخته شده برپایه این لایه های جاذب نیز اندازه گیری و تحلیل شدند. تغییرات مقادیر پارامترهای فوتوولتایی در مدت 162 روز از ساخت سلول ها به طور مرتب اندازه گیری شدند. نتایج بررسی ها نشان داد که با وجود اینکه سلول شامل ترکیب پروسکایتی بدون آلایش برم دارای بیشترین بازده اندازه گیری شده در روز ساخت (65/11%) است، ولی به مرور زمان دچار افت شدید بازده (86%) می گردد. مقایسه نتایج به دست آمده نشان داد که کمترین میزان افت بازده (1%) مربوط به سلول دارای لایه جاذب آلاییده با نسبت مولی برم به ید 1:1 با بازده تبدیل انرژی 9% است.
    کلید واژگان: لایه های جاذب پروسکایتی، لایه نشانی دومرحله ای چرخشی، لایه های جاذب CH3NH3PbI3-xBrx، پایداری سلول خورشیدی پروسکایتی، پروسکایت هالیدی هیبریدی آلی- معدنی، بازده تبدیل انرژی
    Maryam Alidaei, morteza Izadifard*, mohammad Ebrahim Ghazi
    The CH3NH3PbI3 is one of the most widely used and famous lead halide perovskite absorber layer for using in perovskite solar cells. One of the ways to deal with the instability problem of this perovskite structure in environmental condition is bromide doping in this composition. In this work, the structural and optical properties of the bromide doped CH3NH3PbI3 absorber layers were studied as well as J-V characteristics of solar cell devices based on this absorber layer were also measured and analyzed. Photovoltaic parameters of the fabricated solar cell were measured continuously for 162 days. The results of this study showed that even though the bromide-free perovskite devices has the highest PCE (11.65%), but suffer from a significant drop in PCE (86%) during the measured time period . Comparison of the results showed that the lowest rate of efficiency loss (1%) was obtained for the solar cell with a 1: 1 molar iodine-bromide ratio with an energy conversion efficiency of 9%.
    Keywords: Perovskite absorber layer, Two-step spin coating technique, CH3NH3PbI3-xBrx absorber layers, Perovskite solar cell stability, Hybrid organic-inorganic halide perovskite, Power conversion efficiency (PCE).
  • مهدی گلی مقدم، محمد ابراهیم قاضی، مرتضی ایزدی فرد
    در این کار، نانوسیم های کبالت با قطر درحدود 43 نانومتر به کمک تکنیک الکتروانباشت بر روی قالب آلومینیوم متخلخل به روش انباشت گالوانواستاتیک ساخته شدند. قالب آلومینیوم متخلخل از طریق آنودایز چندمرحله ای ورقه آلومینیومی خالص ساخته شد. خواص ساختاری و ریخت شناسی سطح نانوسیم های تهیه شده با اندازه گیری طیف پراش اشعه X و تصاویر ثبت شده توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مطالعه گردید. نتایج نشان داد که نانو سیم ها در راستای (002) ساختار شش گوشی رشد می کنند و نانو سیم ها دارای طول تقریبی mm 45هستند. منحنی های پسماند مغناطیسی نمونه در دو راستای میدان مغناطیسی عمود و موازی محور نانو سیم ها با استفاده از یک دستگاه مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی ( VSM) در دمای اتاق ثبت گردید. این مطالعه نشان داد که نانو سیم های کبالت رفتار فرو مغناطیسی را در دمای اتاق نشان می دهند و وقتی که میدان مغناطیسی عمود بر راستای نانوسیم ها اعمال می گردد، نمونه دارای میدان وادارندگی بزرگتری در مقایسه با زمانی است که میدان مغناطیسی موازی نانو سیم ها اعمال می گردد.
    کلید واژگان: نانو سیم کبالت، الکتروانباشت، خواص مغناطیسی
    Mehdi Golimoghadam, Mohammad Ebrahim Ghazi, Morteza Izadifard
    In this work, Co nanowires with about 43nm diameter were deposited on Alumina template using electro-deposition technique in Galvanostatic mode. The Alumina template was prepared from multistage anodizing of pure Aluminum sheet. Structural and morphology of the nanowires were investigated using x-ray diffraction technique and a scanning electron microscope. The results show that the nanowires have hexagonal structure with (002) orientation and around 45 mm length. The magnetic hysteresis loops for sample was measured in presence of magnetic field parallel and perpendicular to the nanowires axis by a vibrating sample magnetometer. The result revealed that the Co nanowires show ferromagnetic behavior at room temperature and when magnetic field applied perpendicular to the nanowires axis, the coercivity field is higher
    Keywords: Co nanowires, Electrodeposition, Magnetic properties
  • محمد رنجبر، محمد ابراهیم قاضی*، مرتضی ایزدی فرد
    در این پژوهش اثر دمای خشک کردن بر ویژگی های ساختاری، دی الکتریکی، اپتیکی و مغناطیسی نانوذرات فریت بیسموت خالص تهیه شده به روش سل-ژل بررسی شد. نمونه ها با دماهای خشک کردن 80، 100، 120و oC 150 و کلسینه در دمای oC 500 به مدت 4 ساعت تهیه شدند. نتایج پراش پرتو ایکس تشکیل فاز پروسکایت BiFeO3 با گروه فضایی R3c را تایید کرد. همچنین نتایج نشان داد که بیشترین درصد خلوص BiFeO3با مقدار 7/96 % مربوط به نمونه خشک شده در دمای oC 120 است. گاف نواری نمونه ها از 89/1 تا eV 07/2 به دست آمد که در توافق با مقادیر گزارش شده است. نمودار مغناطش بر حسب میدان مغناطیسی نمونه ها در دمای اتاق نشان می دهد که همه نمونه ها دارای ویژگی فرومغناطیسی هستند.
    کلید واژگان: فریت بیسموت، ویژگی های ساختاری، ویژگی دی الکتریکی، گاف نواری، ویژگی مغناطیسی
    Ranjbar, Mohammad Ebrahim Ghazi *, Izadifard
    The reaction of 2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde with 4-nitrosulfonylhydrazide under refluxing led to co-crystalline compound contains N'-(2-hydroxy-3-methoxy benzylidene)-4-nitro benzenesulfonylhydrazide (a sulfonamide-Schiff base compound) and 1,2-bis (2-hydroxy-3-methoxy-benzylidenehydrazine) (I). A medium strong hydrogen bonds in 1 links the oxygen atoms of one molecule of 1,2-bis(2-hydroxy-3-methoxy-benzylidenehydrazine) to the NH group of the N'-(2-hydroxy-3-methoxy benzylidene)-4-nitrobenzenesulfonylhydrazide and is responsible for establishing of co-crystals. Compound 1 was characterized by NMR and IR spectroscopy, elemental analysis and single crystal X-ray diffraction method. Crystallographic data for 1 was collected at 95 K. The synthesized compound has been crystallized in monoclinic system with P21/n space group and a = 6.6771(2) Å, b = 19.2072(6) Å, c = 17.3980(1) Å, β = 95.56(3)º cell parameters. The final R value is 0.037 for 07 independent reflections.
    Keywords: 4-nitrosulfonyl hydrazide, Schiff base, cocrystal, Crystal structure
  • ربیعه حسین پور، مرتضی ایزدی فرد *، محمد ابراهیم قاضی، بهرام بهرامیان
    در این بررسی نخست لایه های نازک (CZTS) 4ZnSnS2Cu به روش سل- ژل چرخشی روی بسترهای شیشه ای نشانده شدند و سپس تاثیر تغییر نسبت نمک های فلزی، عملیات بازپخت و بازپخت در حضور بخارگوگرد بر خواص ساختاری و ریخت شناسی و اپتیکی لایه ها بررسی شدند. نتایج بدست آمده از این پژوهش نشان دادند که ساختار همه لایه های نشانده شده کسترایت است. همچنین بررسی و مقایسه نتایج نشان دادند که با افزایش غلظت روی و کاهش غلظت مس در محلول انباشت و عملیات بازپخت کیفیت لایه ها بهبود یافته و فازهای ثانویه تضعیف می شوند. گاف انرژی نمونه های بازپخت شده در بازه eV 40/1 - eV 50/1 بدست آمد که این در گستره ی انرژی مناسب برای استفاده از این نمونه ها به عنوان لایه جاذب در ساخت سلول های خورشیدی است. مقایسه نتایج بدست آمده در رفتارسنجی نمونه ها نشان داد که ریخت شناسی، خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک CZTS بازپخت شده در حضور گوگرد از نمونه های دیگر بهتر است.
    کلید واژگان: لایه های نازک (CZTS) 4ZnSnS2Cu، سل - ژل چرخشی، فرایند بازپخت، ساختار کسترایت، گاف انرژی
    Rabie Hosseinpour, Morteza Izadifard *, Mohammadebrahim Ghazi
    In this study Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were deposited by sol–gel spin coating on glass substrates and the effect of metal salts ratio, annealing treatment with and without sulfur vapor on structural, morphological and optical properties of CZTS films were investigated. Our results were showed that all CZTS thin films have kesterite structure. Moreover increasing of zinc concentration and decreasing of copper content in deposition solution and annealing treatment improved crystallite quality and destructed secondary phases. The band gap energy of the annealed samples was in the range of 1.40 to 1.50 eV, which is convenient for application in solar-cells as an absorber layer. Comparison of the results showed that the morphology, structural and optical properties of annealed CZTS thin films in presence of sulfur are better than other samples.
    Keywords: Cu2ZnSnS4(CZTS) thin films, Spin Sol–gel method, annealing treatment, Kesterite structure, Band gap energy
  • فاطمه ربیعی، مرتضی ایزدی فرد *، محمد ابراهیم قاضی
    در این کار ابتدا نانوذرات فریت نیکل خالص و آلاییده با 10% کبالت (Ni0.9Co0.1Fe2O4، NiFe2O4) به روش خوداحتراقی تهیه شدند. سپس نانوذرات تهیه شده، به شکل قرص هایی به قطر cm5/2 درآمدند. قرص های تهیه شده در دماهای °C600، °C650 و °C700 به مدت 4 ساعت تحت عملیات بازپخت قرار داده شدند. ساختار بلوری قرص های تهیه شده با استفاده از اندازه گیری طیف پراش اشعه ایکس (XRD) و ثبت تصاویر از سطح نمونه ها با استفاده از یک میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) بررسی شد. طیف های پراش اشعه ایکس اندازه گیری شده، تشکیل ساختار اسپینلی مکعبی نمونه ها را نشان دادند. قرص های تهیه شده به عنوان المان حسگری گاز در دماهای کار مختلف در حضور گاز استون (ppm2500) ارزیابی شدند. نتایج این تحقیق نشان داد که نمونه های خالص و آلاییده بدون بازپخت، حساسیت بیش تری در مقایسه با نمونه های بازپخت شده نسبت به استون از خود نشان می دهند، اگر چه حساسیت نمونه خالص فریت نیکل خالص (NiFe2O4) بدون بازپخت از سایر نمونه ها بیش تر بود. هم چنین حساسیت حسگرها به طور قابل توجهی تابع دمای کار حسگر بودند. نتایج این بررسی نشان داد که نمونه فریت نیکل خالص (NiFe2O4) بدون بازپخت برای حسگری گاز استون در مقایسه با سایر نمونه ها مناسب تر است.
    کلید واژگان: فریت نیکل خالص، فریت نیکل آلاییده با کبالت، حسگر گازی، روش خوداحتراقی
    Fatemeh Rabiee, Morteza Izadifard *, Mohammad Ebrahim Ghazi
    In this work firstly Nickel Ferrite (NiFe2O4) nano particles (pure and 10% Cobalt doped-) were synthesized by microwave assisted combustion method. Some disks with radius of 2.5 cm were made by NiFe2O4 and Ni0.9Co0.1Fe2O4 nanoparticles. The prepared disks were annealed at 600 °C, 650 °C and 700 °C for 4 hours. The structural and surface morphology of the samples were studied using X-ray diffraction (XRD) and field emission scanning microscope (FESEM). XRD Spectra indicated the formation of spinel phase. The gas sensing properties of the samples were investigated in presence of 2500ppm acetone gas. The results of this work were shown that as grown samples (pure and doped without annealing) have a higher sensitivity at operating temperature of 250°C. Although, the sensitivity of as grown NiFe2O4 was also higher than as grown Ni0.9Co0.1Fe2O4 sample. Moreover, the sensitivity of the samples was significantly affected by the operating temperature of the gas sensor. Comparison of the results showed that as grown pure Nickel Ferrite is more suitable sample for acetone gas sensing.
    Keywords: Aceton gas sensor, Co doped, Nikel ferrite, Microwave assisted combustion method, Gas sensor
  • منا رستمی، محمد ابراهیم قاضی *، مرتضی ایزدی فرد
    در این مقاله ساختارالکترونی و خواص مغناطیسی و اپتیکی نمونه های خالص SnO2 و آلاییده Sn1-xCoxO2 (0625/0، 125/0، 1875/0 و 25/0x=) با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی می شوند. اثر تهی جای اکسیژن روی خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه ها نیز بررسی شد. با بررسی خواص مغناطیسی نمونه های آلاییده مشخص شد که افزایش غلظت آلایش سبب افزایش چگالی ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال های d3Co- در نزدیکی تراز فرمی می شود. بررسی فاز پایدار مغناطیسی نمونه های آلاییده نشان داد که در آلایش های 5/12% و 25% فاز پایدار شبکه فرومغناطیس است. حضور تهی جای اکسیژن در نمونه فرومغناطیسی Sn0.875Co0.125O0.9375 نزدیک به یون کبالت منجر به افزایش گشتاور مغناطیسی یون های کبالت می شود. بررسی خواص اپتیکی نمونه خالص و نمونه های آلاییده با 25/6%، 5/12% و 25% کبالت نشان داد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12%، گاف نواری اپتیکی کاهش و سپس با افزایش بیش تر آن تا 25%، گاف نواری اپتیکی افزایش می یابد. با افزایش آلایش تا 5/12%، شدت مربوط به اولین قله ها در طیف تابع دی الکتریک نمونه ها، هم چنین ضرایب درآشامی و خاموشی افزایش و شدت مربوط به قله های ظاهر شده در محدوده انرژی های بالاتر ازeV6 کاهش می یابند. با توجه به طیف های بازتابندگی و ضریب درآشامی مشخص شد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12% میزان عبور فوتون در ناحیه مرئی کاهش می یابد.
    کلید واژگان: نظریه تابعی چگالی، خواص مغناطیسی، اکسید قلع آلاییده با کبالت، خواص اپتیکی، تهی جا
    Mona Rostami, Mohammad Ebrahim Ghazi *, Mortaza Izadifard
    In this paper electronic structure, magnetic and optical properties of pure SnO2 and Sn1-xCoxO2 (x= 6.25%, 12.5%, 18.75% and 25%) samples and effect of Oxygen vacancies on those were investigated using density functional theory (DFT). Density of states and band structure curves show Co doping causes increase in energy surfaces near to the Fermi level. The results of this study showed the ground states of the 12.5% and 25% samples were ferromagnetic. The study of the effects of Oxygen vacancy on 12.5%Co doped- sample revealed that the introducing of vacancies causes increase in magnetic moment of the Co ions. The results were also showed that by increasing the Co concentration up to 12.5% the optical band gap decreases and then by more increasing of Co it increases. The intensity of the first peak in absorption curve increases and the intensity of the other peak above the 6eV decreases. The red shift of peak positions was also observed on absorption curves with increasing Co concentration to 12.5%.
    Keywords: Density Functional Theory, Magnetic properties, Co doped SnO2, Optical properties, Vacancy, Electronic structure
  • محمدحسین عامریون، محمد ابراهیم قاضی، مرتضی ایزدی فرد، بهرام بهرامیان
    لایه های جاذب بر پایه (CuInS(CIS توجهات زیادی را به دلیل گاف نواری مناسب و جذب بالای اپتیکی به خود اختصاص داده اند. در کنار آن، استفاده از زیرلایه های انعطاف پذیردر ساخت سلول های خورشیدی می تواند مزیت استفاده از این لایه های جاذب را مضاعف کند. سلول های خورشیدی بر پایه لایه جاذب CIS، در نتیجه بازده بالا، هزینه ساخت پایین و کاربری های گوناگون توجهات زیادی را به خود جلب کرده است. این لایه ها می توانند بر روی زیرلایه های فلزی یا پلی مری با استفاده از روش های متفاوت لایه نشانی شوند. بازده نهایی قطعه به انتخاب زیرلایه و روش لایه نشانی بستگی خواهد داشت. در این تحقیق خواص ساختاری و اپتیکی لایه های جاذب CIS بر روی زیرلایه های انعطاف پذیرآلومینیوم و پلی مر مورد بررسی قرار گرفته است. بر اساس نتایج بدست آمده، با تغییر زیرلایه از آلومینیوم به پلیمر مقدار اندازه بلورک و کرنش مربوط به لایه CIS تغییر کرده است. این تغییرات را احتمالا بتوان با ضریب انبساط حرارتی آلومینیوم و پلیمر نسبت به لایه CIS مرتبط دانست. علاوه بر این، استفاده از زیرلایه آلومینیوم سبب کاهش مقاومت (افزایش رسانندگی) لایه جاذب CIS شده است.
    کلید واژگان: سل ژل، لایه جاذب، کالکپیریت مس، سلول خورشیدی
    Mohammad Hosein Amerioun, Mohammad Ebrahim Ghazi, Morteza Izadifard, Bahram Bahramian
    Due to the proper direct ban gap and high absorption coefficient of CuInS(CIS) absorber layer, this layers devoted much attention to itself. Beside of this, using of flexible substrates in solar cell fabrication, cause to increase the benefit of CIS usage. The solar cell based on CIS, due to their high conversion efficiency, their low cost potential and the many application possibilities are very attractive. They can be grown on metal or polymer substrate with a variety of deposition methods. The conversion efficiency depends on the choice of the substrates and of the processing technology. In this research, we prepare and characterize structural and optical properties of CIS absorber layers on Al and polymer as tow flexible substrate. As the results, by changing the substrate from Aluminum to Polymer, the crystalline size and strain of CIS layers were changed. These changes are probably related to coefficient of thermal expansion of Aluminum, polymer substrates and CIS layer. In addition, Aluminum substrate can decrease resistivity (increase conductivity) of CIS absorber layer.
    Keywords: sol, gel, Absorber layer, Cu chalcopyrite, Solar cell
  • مونس ثابتی، محمد ابراهیم قاضی، مرتضی ایزدی فرد
    لایه های نازک سلنید روی بر روی زیر لایه شیشه ای در دماهای زیر لایه oC 380 و 400 به روش تجزیه گرمایی افشانه ای لایه نشانی و سپس در دمای oC400 بازپخت شدند. ساختار نمونه ها با استفاده از طیف های XRD و خواص اپتیکی آن ها با استفاده از طیف سنجی نوری UV-Vis مورد مشخصه یابی قرار گرفت. مطالعه طرح پراش نشان داد که نمونه ها قبل از بازپخت دارای ساختار آمورف با اندکی فاز اکسید روی هستند اما بعد از بازپخت، مطالعات اپتیکی نشان داد که گاف نواری نمونه ها کاهش و به مقدار گاف نواری سلنید روی میل می کند. نمونه با دمای زیر لایه oC 400 بعد از بازپخت به صورت بس بلوری و با راستای ترجیحی (111) رشد یافته است.
    کلید واژگان: سلنید روی، لایه نازک، افشانه داغ
    Mouness Sabati, Mohammad Ebrahim Ghazi, Morteza Ezadifard
    Zinc selenide (ZnSe) thin films were prepared by spray pyrolysis technique on glass substrate at substrate temperatures of 380، 400 ºC and then annealed in 400 ºC. Structure of the samples were studied by XRD and UV-Vis spectroscopy was used to investigate the optical properties. The results of the XRD data indicated that the samples are amorphous before annealing with small ZnO phase، but after annealing the optical studies showed that the band gap of the sample decreases and approached to the ZnSe band gap value. The one which was grown at 400 ºC substrate temperature is polycrystalline ZnSe with prefer orientation of (111).
    Keywords: ZnSe, Thin film, Spray pyrolysis
  • محمد ابراهیم قاضی، مهدی حسن شاه، بهرام بهرامیان، محمدحسین احسانی
    نیکلایت با فرمول عمومی La2-xSrxNiO4و با در صد آلایش 33/0 x ≈ به روش سل- ژل تهیه شد. با تغییر در دمای بازپخت و پارامترهای رشد سعی شد ذراتی با اندازه های دانه متفاوت ایجاد شود. ساختار بلوری و خصوصیات فیزیکی آن ها به وسیله تکنیک های طیف پراش پرتو X، تبدیل فوریه طیف عبوری مادون قرمز، طیف سنجی پاشندگی انرژی پرتو X ساطع شده، میکروسکوپ الکترونی روبشی و اندازه گیری مقاومت الکتریکی با دما بررسی شد. نتایج XRD و بررسی مورفولوژی سطح نمونه ها با SEM نشان داد که کمترین دمای بازپختی که در آن فاز خالص تتراگونال مورد نظر تشکیل می شود، 920 درجه سانتی گراد است. با افزایش دمای بازپخت، اندازه بلورک ها از nm50 تا mm2 افزایش یافت. اندازه گیری طیف عبور اپتیکی (FTIR) نمونه ها نشان داد طول پیوند Ni-O در نمونه دارای اندازه بلورک کوچک تر، کوتاه تر است که این نتیجه در تطابق با کاهش ثابت های شبکه a و c با کاهش دمای بازپخت و اندازه بلورک ها است. نتایج اندازه گیری های مقاومت الکتریکی با دما نشان داد که دمای نظم بار با کاهش اندازه ذرات کاهش می یابد.
    کلید واژگان: نیکلایت، سل، ژل، نظم بار، خواص الکتریکی
    Mohammad Ebrahim Ghazi, Mehdi Hasanshah
    Nickelate with general formula La2-xSrxNiO4 (x≈0. 33) were synthesized by the sol–gel method. Then by changing the sintering temperature and growth parameters، particles with various sizes were produced. The crystal structure and physical properties of the prepared samples were investigated by X-ray diffraction (XRD)، Fourier transform IR spectroscopy (FTIR)، Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and resistivity measurements from room temperature to low temperatures. The XRD results and investigation of the surface morphology show the lowest temperature to get a single phase tetragonal structure is 920°C. These data confirm the formation of single phase structure in samples sintered at higher temperatures. The particle size increases with increase in sintering temperature. The FE-SEM results show that the particles sizes are in range of 50nm to 2mm. The results of resistivity measurements versus temperature by fourprobe method indicate that the charge ordering transition temperature move to lower temperature with decrease in particle size.
    Keywords: Nickelate, sol, gel, charge ordering, electrical property
بدانید!
  • در این صفحه نام مورد نظر در اسامی نویسندگان مقالات جستجو می‌شود. ممکن است نتایج شامل مطالب نویسندگان هم نام و حتی در رشته‌های مختلف باشد.
  • همه مقالات ترجمه فارسی یا انگلیسی ندارند پس ممکن است مقالاتی باشند که نام نویسنده مورد نظر شما به صورت معادل فارسی یا انگلیسی آن درج شده باشد. در صفحه جستجوی پیشرفته می‌توانید همزمان نام فارسی و انگلیسی نویسنده را درج نمایید.
  • در صورتی که می‌خواهید جستجو را با شرایط متفاوت تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مطالب نشریات مراجعه کنید.
درخواست پشتیبانی - گزارش اشکال