کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره گیری از روش دوگان سازی منابع ولتاژ

یکی از مهم ترین مشکلات حافظه های STT-RAM امکان بروز خطا در این حافظه ها است. از عوامل اصلی رخداد خطا در این حافظه ها می توان به نوسانات فرایند ساخت، نوسانات دمایی و وابستگی رخداد خطا به توزیع داده ای اشاره کرد و بنابراین احتمال رخداد خطا با توجه به داده موجود در هر سلول با سلول دیگر متفاوت خواهد بود. روش های ارائه شده موجود عموما بدون در نظر گرفتن رفتار حافظه در شرایط فیزیکی مختلف، اقدام به حل مشکلات حافظه ها کرده اند که در نتیجه با سربار زیادی در توان و مساحت همراه هستند. بنابراین نیاز به ارائه روشی احساس می شود که در سطوح پایین تر، احتمال رخداد خطا را در هنگام عمل نوشتن کاهش دهد، با در نظر گرفتن این امر که سربار توان غیر قابل قبولی ایجاد نکند. به منظور کاهش رخداد خطای نوشتن و همچنین پیش گیری از سربار توان زیاد، پیشنهادی ارائه شده که با توجه به داده، مسیر جداگانه ای برای نوشتن در نظر خواهد گرفت. هر کدام از مسیرها مشخصه ای مطابق با داده خواهند داشت که در نهایت منجر به کاهش حداکثری خطای نوشتن می شود. در این راستا از مشخصه دمایی سلول برای کاهش زمان عملیات نوشتن بهره گرفته خواهد شد. شبیه سازی ها نشان می دهد که اعمال این روش منجر به کاهش 38/11% زمان نوشتن در سلول حافظه شده که این دستاورد بدون سربار مساحت و یا توان نسبت به روش های موجود حاصل شده است.