تاثیر تؤام میدان های مغناطیسی و چند آنتی بیوتیک بر رشد باکتری استافیلوکوکوس آرئوس

اثرمیدان های الکترو مغناطیسی بر باکتری ها را از طریق ایجاد منافذی بر روی غشای سیتوپلاسمی اعمال می گردد. از سوی دیگر آنتی بیوتیک های گوناگون دارای اثرات متفاوتی بر باکتری های گوناگون هستند. به علاوه تحقیقات گوناگون نشان داده اند که میدان های الکترومغناطیسی سرعت بهبودی زخم ها را افزایش می دهند.
در تحقیق حاضر ابتدا اثر چهار آنتی بیوتیک جنتامایسین، تتراسیکلین، اریترومایسین و وانکومایسین با استفاده از روش نفوذ دیسک آگار بر باکتری استافیلوکوکوس آرئوس بررسی شد. آنتی بیوتیک های جنتامایسین، تتراسیکلین و اریترومایسین روی سنتز پروتئین و آنتی بیوتیک وانکومایسین روی سنتز دیواره سلولی باکتری ها اثر بازدارنده دارد. در این تحقیق باکتری استافیلوکوکوس آرئوس مورد مطالعه نسبت به جنتامایسین، تتراسیکلین و اریترومایسین مقاوم و نسبت به وانکومایسین حساس بود. سپس اثر توام میدان های مغناطیسی با شدت G 12 و G 21 در زمان های مختلف، همراه با اثر این آنتی بیوتیک ها بر رشد باکتری یاد شده مطالعه گردید. این میدان ها بر روی الگوی حساسیت تتراسایکلین، اریترومایسین و وانکومایسین اثر محسوسی نداشت ولی الگوی حساسیت به جنتامایسین را تغییر داد. نتیجه بررسی تغییر حساسیت باکتری استافیلوکوکوس آرئوس نسبت به آنتی بیوتیک های مطالعه شده پس از قرار گرفتن در معرض میدان های مغناطیسی در زمان های گوناگون مؤید آن است که میدان های مغناطیسی قادرند، الگوی حساسیت این باکتری در برابر برخی از آنتی بیوتیک ها را تغییر دهند. احتمالا استفاده تؤام از برخی آنتی بیوتیک ها و میدان های مغناطیسی می تواند در بهبودی سریع تر زخم ها اثر مؤثری داشته باشد.